FDD5670
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDD5670 |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 83W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2739 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 52A (Ta) |
FDD5670 Einzelheiten PDF [English] | FDD5670 PDF - EN.pdf |
ON TO-252
FAIRCHILD SOT-252
MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
MOSFET P-CH 60V 15A TO252
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FAIRCHILD TO-252
FDD5614 FAIRCHILD
MOSFET N-CH 60V 52A TO252
MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
MOSFET N-CH 60V 5.4A TO252-3
FDD5612A FAIRCHI
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD TO252
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD TO-252
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDD5670Fairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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